RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
40
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
3814
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link