RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3701
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link