RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3081
2900
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link