RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
52
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,837.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,027.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
794
2852
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link