RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2561
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link