RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
59
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2727
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link