RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3593
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
UMAX Technology 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link