RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
29
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3077
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link