RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3061
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link