RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3844
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link