RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2987
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link