RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
32
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2831
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link