RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3065
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link