RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3137
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link