RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2897
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link