RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3714
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link