RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2902
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link