RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2946
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link