RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2768
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link