RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
60
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2511
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link