RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1863
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link