RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2734
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link