RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
3142
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link