RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
4095
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link