RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3938
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link