RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2577
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link