RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3300
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link