RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
41
Wokół strony -193% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
14
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
4182
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link