RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
66
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1877
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link