RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3446
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link