RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
2831
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link