Porównanie pamięci RAM Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wynik ogólny

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

56 65

Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.1 6.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.5 4.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 8500

Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

985 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns