RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
14200
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
17000
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2558
1998
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link