RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
30
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
30
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
1832
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link