RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
71
Wokół strony 75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
71
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
1902
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Catalyst 256NU8 256MB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link