RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
32
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2890
3814
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link