RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2384
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link