RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3132
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link