RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2690
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link