RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2382
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link