RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2829
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link