RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2179
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link