RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2938
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link