RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3726
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link