RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2699
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link