RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2924
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Corsair CMSO8GX3M1C1600C11 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link