RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2154
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link