RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3660
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link