RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2621
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link