RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3419
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link